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为应对全球气候变化和环境污染带来的挑战，实现我国经济的可持续发展，年中国首次向全球宣布，二氧化碳排放要力争于年前达到峰值，努力争取在年前实现碳中和。
在“碳中和”目标下，通过元器件升级，提高功率密度一直是光伏逆变器的提效降本最主要方式：效率更高，体积更小，发热量更低，同时耐高温性能更好也让产品更加可靠。近年来，集中式逆变器的箱体越来越小是功率器件升级的最直观体现，而同样体积的中小型逆变器，功率则提高了数倍，目前组串式光伏逆变器功率做到了kW，与功率器件升级密不可分。
一直以来，光伏逆变器元器件环节长期被国外厂商占据大部分市场份额，但在中美贸易摩擦期间，国产功率器件发展步伐加快，采用宽禁带半导体即碳化硅SiC和氮化镓GaN，将是光伏逆变器的制胜之道，助力中国光伏迎来新一轮的提效降本技术热潮。
采用SiC和GaN器件带来的性能优势多多：
01
更小的逆变器实现更高效率
具有GaN和SiC隔离器的电力电子设备可将光伏微逆变器和串式逆变器的效率提升到98%以上，目前普遍采用的硅器件无法做到。二极管可将能量收集效率提升1.5%以上，而晶体管则可以提升至4%以上。硅基氮化镓(GaN-on-silicon)可提供最低成本的解决方案，而碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)和金刚石基氮化镓（GaN-on-Diamond）则可提供更高的效率。
02
有效节能减排，降低间接成本
GaN和SiC可以通过以下方式降低间接成本：降低无源元件的故障率、减小封装和节省安装成本。此外，它们优良的导热系数也可减小逆变器散热器的尺寸。尽管目前它们在同类基础上可能比硅产品更贵（如果可以使用硅替代产品），但它们在系统内的良好性能可以带来总成本的节省，例如散热成本，面积成本等。
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化合积电（厦门）半导体科技有限公司（简称化合积电CSMC），是一家专注于第三代半导体（宽禁带）材料和器件研发和生产的高科技企业。
研发实力位居全球前列，在厦门、首尔建立研发中心，拥有近平方米研究基地、平方米生产基地，并拥有MOCVD、PVD等国际一流设备20多台，设立三大研发中心：宽禁带半导体材料实验中心、微纳加工实验中心和超精密加工实验中心。
化合积电CSMC致力于宽禁带产品研发和技术创新，为行业科技进步和发展贡献力量。
主要产品：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、蓝宝石基氮化铝基板、硅基氮化铝基板、GaN基HEMT、逆变器等。产品广泛应用于5G、光伏、新能源汽车、快充等。
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