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5月27日-28日

热管理材料将迎来巅峰盛会

引领行业的产品、技术精彩亮相

化合积电CSMC携创新产品和解决方案

在热管理材料技术与供应链高峰论坛

A13展台恭候莅临

关于论坛

ABOUTEVENT

伴随着5G、大数据、人工智能、物联网、工业4.0、国家重大战略需求等领域的技术发展，电子器件功率密度持续攀高，急需高效的热管理材料和方案来保证产品的效率、可靠性、安全性、耐用性和持续稳定性。

热管理材料技术与供应链高峰论坛，旨在促进热管理材料学术界和工业界交流合作，将为与会者提供热管理材料最新研究进展和技术讯息。

涵盖主题：热管理材料政策与市场，热科学与技术，热界面材料，热沉材料，相变材料，热功能材料，热设计与解决方案……

化合积电，应主办方邀请将参加本次盛会，并将在现场设展，现场展示金刚石热沉片、晶圆级金刚石等重磅产品，展位位于热管理材料技术与供应链高峰论坛A13展台，诚邀各位领导、专家、业界伙伴莅临参观指导和洽谈合作。

关于我们

ABOUTUS

化合积电（厦门）半导体科技有限公司，是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底材料和基于GaN材料的电力电子、射频器件研发和生产的高科技企业。公司致力于为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”，通过不断的产品研发和技术创新，推动科技的发展和进步。

主要产品包括：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、硅基氮化铝基板、GaN基HEMT、逆变器等。广泛应用于5G、快充、光伏、新能源汽车等领域。

创新研发力求领先

研发实力位居全球前列，国际一流团队10余年技术积累，领衔建设高水平研究平台，汇聚来自全球半导体领域的顶尖科学家和资深工程师，攻克关键核心技术。

在厦门、首尔等地建立两大研发中心，拥有近平方米研发基地，全球领先的研发设备一应俱全，作为产学研合作标杆，引领行业前沿科技创新，获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号。

自主生产品质卓越

超平方米生产基地，智能制造设备确保品质卓越，产品通过ISO质量管理体系认证，全方位确保客户售后无忧。

拥有MOCVD、PVD等国际尖端一流设备20多台，是国内少数拥有完整半导体工艺链的平台之一。齐全的检测设备，%检测，确保产品品质卓越。

智能制造，初具规模

布局全球服务网络

立足厦门，构建全球销售服务总部和大型生产基地；建立上海、深圳两个办事处，高效便捷服务，赋能经济核心区；创设厦门、首尔两大研发中心支持全球客户技术和产品开发。

我们坚持以持续的技术创新为客户创造价值，秉持为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”理念，不断立足前沿，持续突破，引领工艺革新方向，在5G、快充、光伏、新能源汽车等领域，得到了行业头部重量级客户认可。

产品介绍

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Product

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01

金刚石热沉片

金刚石传热机制是通过晶格振动传热，碳原子产生振动的量子能量较大，因此金刚石是自然界中热导率最高的物质，在散热领域具有巨大的应用潜力。化学气相沉积（CVD）金刚石中不含任何金属催化剂，它的热稳定性接近天然金刚石，加之具有较宽的禁带宽度、较高的载流子迁移率和较大的里临界雪崩击穿电场强度，使CVD金刚石成为理想的电子散热器件材料，用于制作大功率半导体器件、微波器件和大规模集成电路的散热片。

金刚石热沉片，热导率高达W/m.K，高品质且成本可控，可定制化。

02

晶圆级金刚石

薄金刚石膜/异质衬底制备的复合衬底既有金刚石高热导率性能又能一定程度上降低厚金刚石膜的成本，直接用于宽禁带半导体材料的外延衬底，用于生长材料与器件，直接从外延材料本身考虑散热因素，这也是未来半导体器件的一个主要发展方向。而半导体晶圆材料都是在往大尺寸晶圆方向发展，这就要求衬底材料必须是大尺寸高质量的衬底材料，同时兼顾优良的散热性能则能更好的发挥器件的性能。

晶圆级金刚石高热导率（±W/m.K），表面粗糙度小于1nm，满足晶圆级应用，产品可定制化。

03

硅基氮化铝/金刚石基氮化铝

氮化铝(AlN)是极具应用潜力和市场前景的超宽禁带半导体材料，因其具有很多优良的性质，如其禁带宽度高达6.2eV（直接带隙）、高热导率、高化学稳定性和热稳定性、击穿场强大、介电系数小，与GaN晶格失配度小等，是一些高功率器件和散热器件的优选材料，其中与氮化镓晶格失配度小使得氮化铝成为紫外和深紫（UVDUV-LED）及激光（LD）等GaN基电子器件优秀的衬底材料；制备成本更低的定制磁控PVD方法来外延制备大尺寸、高质量的AlN单晶薄膜。

化合积电提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、2英寸金刚石基氮化铝模板、氮化铝单晶气相沉积等产品，亦可根据应用要求，进行定制化生长。

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